同步整流升压IC，解析同步整流

如今低压大电流已成为 DC ／ DC 变换器的一种趋势，在这种情况下，传统的采用肖特基二极管的整流方式（非同步整流也称异步升压）已经不能满足高效率的要求，用通态电阻极低的功率 M0sFET 来取代整流二极管的同步整流技术应用越来越普遍。
 
这不仅可以大大降低整流器的损耗，提高 DC ／ Dc 变换器的效率，而且还不存在二极管的死区电压问题。对于 Dc ／ DC 转换芯片中驱动电路的设计而言，驱动能力和功耗指标是至关重要的。驱动能力主要体现在从发出控制信号到功率 M0s 管完成开关转换所需的延迟时间，驱动能力越强，延迟时问越小。目前开关电源的高频化的趋势，使得对驱动能力指标的要求变得更加苛刻。另外，如何在保证驱动能力的前提下降低驱动电路的功耗也是 DC ／ Dc 开关电源驱动电路设计时必须着重考虑的一个方面。

 
驱动电路的设计
      图 l 为同步整流升压式 DC ／ Dc 电路的拓扑图，功率 NMOs 管 M1 为开关管， PM0s 管 M2 为整流管（如： PS7516 同步整流升压 IC 就是一款不错的 IC ）。
通过给 Ml 管和 M2 管施加同步驱动电压，可以使电路有效地工作。为了简化系统设计，减小体积，提高集成度，在我们设计的同步整流升压芯片中，将开关管和同步整流 PMOs 管都集成在了芯片里。芯片中开关管和整流管的驱动电路如图 2 所示。 DriN 、‘ DriP 为开关管 Ml 和整流管 M2 的逻辑控制信号，经过开关管驱动电路 DriveN 和整流管驱动电路 DriveP 后转换成栅驱动信号 NG 和 PG 。 BodyControl 电路为整流 PMOS 管的衬底控制电路，同时为 DriveP 提供电源，其 Body 用来跟随输人电压 Vin 和输出电压 Vout 中的较大者。