3V升压9V1A，3V升压12V1A芯片，可调限流，低功耗

3V升压9V1A，3V升压12V1A升压芯片。宽输入电压到12V，最高输出电压13V，低功耗，可调限流（输入端），高效率升压IC。

      PL7512 是一颗电流控制模式升压转化器，脉波宽度调变 (PWM)， 內置 15mΩ/10A/14VMOSFET， 能做大功 率高转换效率， 周边元件少节省空间， 适合用在 行动装置 ，宽工作电压 2.7V~12V， 单节与双节锂电池都能使用， 精准反馈电压 1.2V(±2%)， 过电流保护通过外部电阻调整， 电流控制模式让暂态响应与系统稳定性佳， 轻载进入 省电模式 (Skip Mode)， 达到轻载高效 率，封装为 SOP-8L(EP) 。

特性
➢ 工作电压范围 2.7V~12V
➢ 可调输出电压最高 13V
➢ 固定工作频率 400kHz
➢ VFB 反馈电压 1.2V(±2%)
➢ 內置 15mΩ,10A,14V MOSFET
➢ 关机耗电流最大 1μA
➢ 过温保护 150 ℃
➢ 內置软启动
➢ 可调过电流保护 2A~10A
➢ 封装 SOP-8L(EP)

应用范围
➢ 快充移动电源
➢ 蓝牙音箱
➢ 手持式产品
➢ 充电器
➢ 电子烟

应用元件
➢ C1,C2,C5,C6,C8 ：输入与输出稳压滤波电容 。
➢ C9 ： HVDD 滤波电容 。
➢ C3 ： HVDD 经过內部稳压管到 Vcc 产生 5V ，此电压会提供內部电路与驱动 MOS ，需要加
稳压电容 。
➢ C4,C10,R4 ：系统补偿回路元件 ，关系到 LX 方波稳定度与暂态响应速 度 。
➢ R1,R2 ： FB 分压电阻 ，決定输出电压 ， R1 使用 300kΩ~500kΩ 。
➢ R3 ：改变阻值 ，调整过电流保护点 。
➢ R10 ： EN 到输入上 拉电阻 ，控制 EN 下 拉地 ，开关 IC 。
➢ Rout ： HVDD 限流电阻 ，避免输出电压过高 ，击伤 IC 。
➢ C12,R8 ：突波吸收元件 ， 降低 LX 开关切换突波 。
➢ L1 ：电感具有储能与滤波功用 ，感值越大电流涟波越小 ，相对感值越小涟波越大 。选用电感
注意电感是否适合高频操作 ，及电感额定饱和电流值 。
➢ D1 ：当 LX 截止时 ， D1 肖特基管导通 ，提供电感放电回路

功能说明

软起动
IC 內置软起动功能 ，开机 利用软启动限制 PWM 占空比 ，让占空比慢慢打开 ，避免瞬间输入涌浪电流过大 。

EN 开关控制
EN 小于 0.6V 将 IC 关闭 ，关机 HVDD 最大耗电流 1ìA ， EN 大于 1.1V 启动 IC ；输入电压大于 5V ，在输入与 EN 之间接 200kΩ 。

过电流保护 (OCP)
检测通过 LX 与 GND 之间 MOS 电流 ，也就是电感峰值电 流 ，触发过电流会将占空比缩小 ，限制电感电流 ，输出电压也会 降低 ；当占空比 50%以上触发 OCP ，为了让 PWM 稳定方波 ， IC內部做斜 率补偿 ，占空比越大 OCP 会 降低 ，透过外部电阻 R3 调整 OCP ， R3 选用参考以下图表 ，电阻值 150kΩ~51kΩ ， OCP 2A~10A ， OC Pin 不能空接 。

过温保护
IC 內部晶片温度达到 150 ℃， 降內部 MOS 关闭保护晶片 ， 等温度 降 低到 130 ℃ 再打开 。

输入低电压应用
输入电压低于 4.5V ， 像是单节锂电池 ， 将 HVDD Pin 接到输出端 ， 提高 Vcc=5V 降 低 MOS 阻抗 ， 提升转换效率 ； 输入电压高于 4.5V ， HVDD 接到输入端 。